728x90 전체 게시물21 UPS (UV photoelectron spectroscopy) UV photoelectron spectroscopy (UPS)는 물질의 전자 상태와 에너지 레벨을 조사하기 위한 분석 기법이다. 원리: UPS는 자외선(UV) 광원을 사용하여 샘플을 조사한다. 이 UV 빛에 의해 샘플의 표면에서 전자가 방출된다. 이 방출된 전자들은 "포토전자(photoelectrons)"라고 불린다. 포토전자의 에너지는 원래의 원자나 분자 상태의 에너지와 UV 빛의 에너지에 따라 결정된다. 응용: UPS는 주로 샘플의 valence band와 관련된 전자 상태를 조사하는 데 사용된다. 이를 통해 물질의 화학적 상태, 전자 구조, 원자의 결합 상태 등의 정보를 얻을 수 있다. 장비: UPS 장비는 UV 광원, 샘플 홀더, 전자 에너지 분석기 등으로 구성된다. 전자 에너지 분석기는 방출된.. 2023. 10. 25. Tauc Plot tauc plot은 물질의 광학적 특성으로부터 밴드갭(전기적 특성)을 알아낼 수 있는 방법이다. (αhν)^1/n 대 hν 그래프에서 선형 부분을 연장하여 x축과 교차하는 지점을 찾는다. 이 지점의 에너지 값은 밴드 갭의 추정치로 간주된다. 따라서 선형 부분이 시작되는 지점은 실제 밴드갭보다 약간 낮은 에너지 값을 나타낼 수 있다. 물질의 결함, 임퓨리티, 다른 요인 등으로 인해 에너지가 밴드 갭에 매우 가까울 때, 약간의 흡수가 발생할 수 있기 때문이다. 결론적으로 선형 부분을 연장하여 x축과 교차하는 지점을 밴드 갭으로 선택함으로써, 물질의 순수한 밴드 갭을 더 정확하게 결정할 수 있다. alpha는 흡광계수, hv는 에너지, Eg는 밴드갭, A*은 방정식의 기울기(일반 상수)이다. n은 전자전이 유.. 2023. 10. 25. Etching layer을 원하는 두께만큼 깎아내는 공정이다. patterning이란 photolithography + etching과정을 말한다. 지표 etching rate : 얼마나 빠르게 깎여나가는지. (두께/시간) etching profile isotropic (등방성의) : 방향에 상관없이 모두 일정한 etching rate을 가진다 (vertical etch rate = horizontal etch rate) _ wet etching (pure chemical reaction) anisotropic (비등방성의) : 방향에 따라 다른 etching rate을 가진다 (vertical etch rate >> horizontal etch rate) _ dry etching (ion-assisted etchin.. 2023. 10. 23. Photolithography photolithography process cleaning wafer prime spin coating of PR soft bake alignment & exposure PEB development hard bake etching PR strip 1. cleaning RCA cleaning : a standard set of wafer cleaning step 중요한 공정 이전, 이후에 사용되는 경우가 많다. wafer를 깨끗하게, 잔여물을 제거하기 위해서 RCA cleaning 공정을 사용한다. 다량의 화합물이 필요하다. Piranha : remove organic residue, 황산과 과산화수소수를 이용 ← 과산화수소수가 산화, 황산이 산화막 제거 SC-1 : remove organic & par.. 2023. 10. 23. Metallization _ Damascene Process BEOL(Back End Of Line, 후공정)에서는 수평면으로 금속선 회로를 깔고, 수직 방향으로는 소자가 외부와 소통할 수 있도록 소자의 4개 단자와 연결하는 콘택트(Contact)와 비아홀(Via Hole)을 형성한다. 소자와 소자, 소자와 외부를 잇는 이 같은 과정을 ‘Metallization 공정’이라고 한다. 용어 contact : 다른 물질 간의 접합부위 interconnection : contact들을 서로 연결한 metal line metallization : interconnection을 만드는 공정 (→ 원하는 형태의 회로를 구성한다. → 층이 여러 개가 형성된다.) IMD(inter metal dielectric) : metal 사이의 절연물질 via : metal 사이의 연결을 .. 2023. 10. 23. 주어와 동사에 대해서..... 오랜만에 문법 공부하면서 애매하게 헷갈렸던 것들이다. 가주어 it은 명사구를 대신하여 쓰이지 않는다. 부정사구, that절 등의 진주어가 존재할 때 가주어의 역할을 한다. It - that 강조구문에서 강조하는 것이 사람일 때 that 대신 who를 쓰기도 한다. there 구문에는 be동사 이외에도 exist, arrive,enter,come, emerge, live,remain,stand,lie 등의 동사가 쓰이기도 한다. there + be동사는 '처음 등장하는 사람이나 사물이 있다'는 의미를 나타내기 때문에 서로 알고있는 것을 가리키는 'the+명사' 또는 '소유격+명사'와 함께 쓸 수 없다. there is the bus to the city every hour (X) there is a bus.. 2023. 10. 22. 명사와 동사에 대해서... 영어롤 좋아하기도 하고 토플공부도 할 겸 토익복습도 할 겸 겸사겸사 적게 되었다 ~.~ glass 유리 (불가산) glass 유리잔 (가산) glasses 안경 (가산) iron 철 (불가산) iron 다리미 (가산) light 빛 (불가산) light 전등 (가산) paper 종이 (불가산) paper 논문 (가산) history 역사 (불가산) history 기록, 역사책 (가산) work 일 (가산) work 작품 (불가산) 수량 형용사 + of 뒤에는 (the 명사 / 소유격 + 명사 / 목적격 대명사)만 와야 한다 단수 - 복수 datum - data goose - geese stimulus - stimuli cactus - cacti (선인장) swine - swine (돼지) trout - .. 2023. 10. 21. Oxidation 공정 NMOS의 제작과정 1. p-si에 oxidation을 통한 SiO2 (GI) 형성 2. poly-si 증착 (deposition) 3. etch 4. implantation (S,D 형성) gate insulator와 substrate의 접합 (Si와 SiO2 접합)이 가장 중요하다. oxidation furnace내에 O2나 H2O를 주입해서 oxidation을 발생시킨다. 1. Si+O2 + 고온(1000도) → SiO2 방식을 dry oxidation이라고 하며 더 얇게 만들 수 있다. 2. Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 방식을 wet oxidation이라고 하며 수증기를 넣음으로써 더 빠르고 두껍게 만들 수 있다. oxidation 공정을 진행하지 않을 때에는oxidation furn.. 2023. 10. 21. Sputter sputtering공정은 플라즈마를 통해 양이온이 전기장의 힘을 받아 음극으로 가속되는 현상을 이용한 공정이다. 가속된 양이온은 음극과 충돌하게 되며, 충돌에너지가 큰 경우에는 음극을 구성하고 있는 물질의 표면에서 원자를 떼어낼 수 있다. 볼 풀이 있다고 생각해보자. 여기에 농구공을 아주 세게 던진다고 생각하면 볼들이 튕겨져 나와서 주변 벽면에 부딪힐 것이다. 벽면을 기판이라고 생각하면 쉽다. 벽면에 부딪힌 볼들이 증착되는 것이 sputter 공정이다. Sputter 장비의 구성 pumping : 1차, 2차 펌프가 연결되어 있다. power supply : 음극에 전원을 공급하며 DC라 써놓긴 했지만 AC를 써도 된다. 대부분의 경우, AC주파수 중 13.56Hz의 주파수를 가진 고주파 (RF) 교류를.. 2023. 10. 20. Capacitorless DRAM 1T DRAM 이라고 부르기도 한다. process와 memory차이의 performance 차이가 점점 심해지고 있고 memory 성능의 증가 폭이 크지않다. process에서 빨리 처리하여도 memory에서 처리하는데 한계가 있다. SRAM ← DRAM보다 10배이상 빠름 → DRAM으로 data를 옮김 SRAM은 chip의 면적은 많이차지한다. 전체적인 system의 speed를 높이긴 위해선 DRAM와 processer 사이의 물리적 거리를 최대한 줄이는 것이 solution이다. 같은 chip 내에서 만들면 DRAM과 CPU가 통합 → 더 빠른 연산속도를 얻을 수 있을 것이다. → Embedded DRAM 이라고 부른다. → 하지만 Cap 때문에 거의 불가능하다. Cap에 전하가 있고 없고를 기.. 2023. 10. 20. 이전 1 2 3 다음 728x90
