728x90 SS1 Oxidation 공정 NMOS의 제작과정 1. p-si에 oxidation을 통한 SiO2 (GI) 형성 2. poly-si 증착 (deposition) 3. etch 4. implantation (S,D 형성) gate insulator와 substrate의 접합 (Si와 SiO2 접합)이 가장 중요하다. oxidation furnace내에 O2나 H2O를 주입해서 oxidation을 발생시킨다. 1. Si+O2 + 고온(1000도) → SiO2 방식을 dry oxidation이라고 하며 더 얇게 만들 수 있다. 2. Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 방식을 wet oxidation이라고 하며 수증기를 넣음으로써 더 빠르고 두껍게 만들 수 있다. oxidation 공정을 진행하지 않을 때에는oxidation furn.. 2023. 10. 21. 이전 1 다음 728x90